Everspin是設(shè)計(jì)制造和商業(yè)銷售MRAMSTT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者，其市場和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin在數(shù)據(jù)中心，云存儲(chǔ)，能源，工業(yè)，汽車和運(yùn)輸市場中部署了超過1.2億個(gè)MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品。

MRAM涉及汽車應(yīng)用。對(duì)于碰撞記錄器，MRAM可以在事故發(fā)生時(shí)收集和存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，并幫助確定車輛事故或故障的原因。
 
使用傳感器的汽車應(yīng)用可以受益于MRAM。由于傳感器連續(xù)地寫入數(shù)據(jù)，因此閃存難以保持這種數(shù)據(jù)流。新的安全氣囊系統(tǒng)還具有傳感器，用于檢測和記錄乘客的體重，與車輛上其他安全裝置的相互作用以及碰撞的影響。
 
其他汽車系統(tǒng)，例如里程表，輪胎氣壓記錄儀和ABS，需要頻繁地對(duì)內(nèi)存進(jìn)行寫操作，而這些寫操作很容易超過閃存的寫擦除功能，并且會(huì)耗盡其內(nèi)存。MRAM具有無限的寫循環(huán)能力，可確保為安全氣囊和ABS等關(guān)鍵任務(wù)設(shè)備提供更可靠的系統(tǒng)。
 
MRAM在軍事上的使用也獲得了廣泛的認(rèn)可。許多系統(tǒng)使用電池供電的SRAM，并且在電池使用方面存在固有的可靠性問題。霍尼韋爾已為飛思卡爾的MRAM技術(shù)獲得軍事和航空應(yīng)用許可。
 
MRAM技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)可以從根本上改變嵌入式系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)。MRAM有潛力分別取代嵌入式MCU中用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和程序存儲(chǔ)器的RAM和閃存。MRAM有望替代兩者，并允許使用單內(nèi)存架構(gòu)。MCU具有特定于芯片的ROM代碼，MRAM可以替換這些代碼以提供快速的現(xiàn)場可編程升級(jí)。
 
在更大的系統(tǒng)中微處理器使用RAM存儲(chǔ)器來實(shí)現(xiàn)快速讀取/寫入功能。DRAM用作應(yīng)用程序塊的臨時(shí)存儲(chǔ)區(qū)域。硬盤驅(qū)動(dòng)器存儲(chǔ)應(yīng)用程序軟件和數(shù)據(jù)的非易失性信息，但是讀寫速度很慢。一旦MRAM取代了所有這些存儲(chǔ)設(shè)備，即時(shí)啟動(dòng)PC便成為可能。
 
當(dāng)前不存在通用內(nèi)存。所有存儲(chǔ)器在寫循環(huán)耐久性，讀/寫速度和數(shù)據(jù)保留及陣列密度，功耗和價(jià)格上都有折衷。市場上的可用內(nèi)存具有固有的局限性，使它們無法提供最佳的內(nèi)存功能。隨著進(jìn)一步的完善，MRAM有一天可能會(huì)被譽(yù)為通用內(nèi)存。

汽車應(yīng)用Everspin MRAM

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs) / Tray	MOQ(pcs)/ T&R
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP2	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	270	1,500
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	270	1,500
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35	44-TSOP	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,500	270
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	1500	270
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270	1500
2Mb	128Kx16	MR1A16AMYS35	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270	1500
2Mb	128Kx16	MR1A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270	1500

 

本文關(guān)鍵詞：MRAM  SRAM

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