一般來說，存儲結(jié)構(gòu)設(shè)計的核心是確保磁性隧道結(jié)所表征的數(shù)據(jù)可以快速讀出，并且能夠根據(jù)需要快速進行改變，另外還有一些工程上的設(shè)計比如堆疊設(shè)計、數(shù)據(jù)密度提升等。而在數(shù)據(jù)讀寫方面，還會存在使用磁場寫入法和電流寫入法兩種完全不同的方法。
 
先來看看磁場法寫入數(shù)據(jù)。這種方法的核心在于數(shù)據(jù)的寫入是通過字線和位線電流流過時同時產(chǎn)生的磁場實現(xiàn)對數(shù)據(jù)的改寫。需要注意的是當(dāng)字線或者位線二者中的一個有電流流過時，產(chǎn)生的磁場僅僅是自由層矯頑力的一半,因此不能改變自由層磁場的方向，且磁場相互正交。只有當(dāng)字線和位線同時通過電流并產(chǎn)生磁場時，字線和位線交點處的磁隧道結(jié)自由層才會獲得確定的磁場方向，從而和下方的固定層結(jié)合，實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。目前磁場法的MRAM產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)大部分廠商的研發(fā)對象，這種方法的特點也比較明顯，一是產(chǎn)品功耗略高;二是由于存在從電到磁、磁到磁的作用過程，因此速度比較慢;三是結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，制造難度比較高;四是存儲密度可能由于結(jié)構(gòu)問題很難進一步提高。
 
除了磁場法改變數(shù)據(jù)外，還有一種方法是電流法。業(yè)內(nèi)也有將磁場法寫入歸入第一代MRAM,電流法寫入歸入第二、三代MRAM。具體來說當(dāng)電流通過磁性層時，電流會被極化，形成自旋極化電流，自旋極化電流可以將自己的自旋動量傳遞給自由層，使得自由層獲得磁矩。

因此這種方法是通過自旋極化電流來改變磁場方向的，且一般都使用前文提到的第二種磁性隧道結(jié)。需要注意的是，電流法改變自由層磁矩方向一般有兩種變化: 一是將自由層的磁矩方向改變成和固定層相同，此時電流從固定層流向自由層。在這種情況下固定層較厚、較強的磁場帶來了極化電流，極化電流穿過隔離層后，還能保持極化方向，因此能夠?qū)⒆孕莿恿哭D(zhuǎn)移給非常薄的自由層，實現(xiàn)自由層磁矩方向和固定層相同。二是將自由層的磁矩方向改變成和固定層相反，此時電流從自由層流向固定層。在這個過程中電子和固定層發(fā)生交換耦合作用，使得自旋平行于固定層磁矩的電子通過，和固定層磁矩相反的電子被反射。因為固定層較厚且磁性較強，相反方向的電子不可能改變其磁矩方向，反倒通過極薄的隔離層又和自由層發(fā)生交換耦合作用，使得自有層磁矩和固定層呈現(xiàn)相反的狀態(tài)，實現(xiàn)了自由層磁矩的翻轉(zhuǎn)。從結(jié)構(gòu)上來說電流法的存儲單元結(jié)構(gòu)相比磁場法要簡單一些， 因為不再需要字線，是目前MRAM存儲中比較看重的一個研究方向。
 
從產(chǎn)品特性來看，電流法的MRAM特點如下:是寫入速度快，因為直接使用電流對磁場產(chǎn)生影響;二是存儲密度高，由于沒有字線，因此存儲密度相比磁場法要高出不少;三是功耗較低;四是不會產(chǎn)生磁場的交叉影響，因此數(shù)據(jù)穩(wěn)定性更高。
 
說完了數(shù)據(jù)寫入，再來一起看看數(shù)據(jù)讀取。相比之下數(shù)據(jù)的讀取要容易很多。只要字線和位線同時通過較小的電流后檢測磁隧道結(jié)帶來的電位差就可以了。因為隧道效應(yīng)的存在，如果磁隧道結(jié)處于低阻狀態(tài)，電位差很小;如果隧道效應(yīng)不存在，則證明磁隧道結(jié)處于高阻值狀態(tài)，電位差則很大。通過電位差的大小，就能判斷此時磁隧道結(jié)存儲的數(shù)據(jù)的狀態(tài)，同時將數(shù)據(jù)傳輸給系統(tǒng)。另外這種讀取數(shù)據(jù)的方法完全是非破壞性的，也不會影響到數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性。
 
MRAM依靠優(yōu)秀的特性和出色的性能，成為了下一代存儲產(chǎn)品的有力競爭者。MRAM已經(jīng)正式出貨并且在逐步提升容量。從產(chǎn)業(yè)角度來看，進入2017年后各種非易失性存儲技術(shù)開始爆發(fā)，MRAM也是這些新技術(shù)中的一種，并且走在比較前端的位置。 

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本文關(guān)鍵詞： MRAM   

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