五年前中國大陸的半導體器件銷售額為130億美元，僅占全球芯片銷售額的3.8%。中國大陸半導體行業(yè)在2020年實現(xiàn)了前所未有的30.6%的年增長率，年總銷售額達到398億美元。 這一增長幫助中國大陸地區(qū)在2020年占據(jù)全球半導體市場9%的份額，連續(xù)兩年超過中國臺灣地區(qū)，緊隨日本和歐盟(EU)之后，這兩個國家的市場份額分別為10%。
 
構建其半導體制造供應鏈方面，中國大陸也保持強勁增長速度，2021年宣布新增28個晶圓廠建設項目，新投資計劃總額約260億美元。
 
芯片制造方面，隨著華為、中芯國際等被列入美國政府的實體清單，中國大陸半導體產業(yè)在先進邏輯節(jié)點制造的開發(fā)變得遲緩，并將大部分資金轉向成熟工藝制造技術。由于這一變化，從2020年9月到2021年11月，由于這一變化，從2020年9月至2021年11月，中國晶圓制造商在落后節(jié)點(>=14nm)每月增加近50萬晶圓(WPM)產能，而在先進節(jié)點僅增加10K產能。僅中國大陸的晶圓產能增長就占全球總量的26%。
 
中國大陸2021年19nm DDR4移動DRAM、64層3D NAND FLASH芯片開始商用，128層產品也啟動生產。盡管中國大陸存儲行業(yè)仍處于發(fā)展的早期階段，但預計中國大陸企業(yè)將在未來五年內具備高度競爭力，并將實現(xiàn)40-50%的年復合增長率。
 
后端生產方面，中國在外包組裝、封裝和測試（OSAT）方面處于全球領先地位，其三大OSAT廠商合計占據(jù)全球35%以上的市場份額。
 
這些跡象表明，中國大陸半導體芯片銷售的快速增長很可能會持續(xù)，這在很大程度上得益于中國中央政府堅定不移的承諾以及面對中美競爭強有力政策支持。盡管中國大陸要趕上現(xiàn)有的行業(yè)領先者還有很長的路要走——尤其是在先進節(jié)點代工生產、設備和材料方面——但預計未來十年差距將縮小。

本文關鍵詞：DRAM,Nand Flash

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