MRAM是電池儲(chǔ)備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產(chǎn)品。Everspin MRAM高速非易失性存儲(chǔ)器，使用壽命幾乎無(wú)限。所具有的綜合性能是任何其他半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件都不能全部擁有的。
 
MRAM這是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)，MRAM所選工藝比現(xiàn)有工藝DRAM和更復(fù)雜，成本會(huì)更高。但它有現(xiàn)有的SRAM和DRAM沒(méi)有的特點(diǎn)，隨著應(yīng)用規(guī)模的逐漸擴(kuò)大，成本會(huì)逐漸降低。
 
磁阻隨機(jī)存儲(chǔ)器是一種采用新技術(shù)的隨機(jī)存儲(chǔ)器。它使用磁致電電阻效應(yīng)來(lái)保存信息，因此它的速度可以和SRAM比，但同時(shí)也可和FLASH斷電后還可以保留數(shù)據(jù)。
 
MRAM技術(shù)特點(diǎn)：
不容易丟失:鐵磁體的磁帶不會(huì)因?yàn)閿嚯姸В訫RAM具有非易失性。
讀寫頻率次數(shù)無(wú)限:鐵磁體的磁化不僅斷電不會(huì)消退，而且?guī)缀蹩梢哉J(rèn)為它永遠(yuǎn)不會(huì)消失，所以MRAM和DRAM同樣可以無(wú)限重寫。
寫入速度快，功耗低：MRAM寫入時(shí)間可以低至2.3ns，而且功耗極低，可以實(shí)現(xiàn)瞬時(shí)開(kāi)關(guān)機(jī)，增加便攜機(jī)電池的使用時(shí)間。
邏輯芯片整合度高：MRAM可以很容易地放入邏輯電路芯片中，只需要在后端金屬化過(guò)程中改進(jìn)一兩個(gè)步驟。MRAM可以完全制成芯片的金屬層，甚至可以實(shí)現(xiàn)2-3層單元的堆疊，因此在邏輯電路上具有結(jié)構(gòu)規(guī)模內(nèi)存陣列的潛力。
 
MRAM特性較好，但臨界電流強(qiáng)度和功耗仍需進(jìn)一步降低。MRAM存儲(chǔ)單元規(guī)格仍較大，不適合堆疊，工藝復(fù)雜，大規(guī)模制造難以保證均勻性，存儲(chǔ)容量和產(chǎn)量上坡緩慢。在進(jìn)一步突破這一過(guò)程之前，MRAM商品主要適用于體積要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域及其新型IoT嵌入式存儲(chǔ)行業(yè)。
 

本文關(guān)鍵詞： MRAM,SRAM

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