晶圓代工大廠臺積電和三星兩者之間的競爭，從邏輯芯片擴(kuò)展到內(nèi)存市場。 臺積電這次重新進(jìn)攻內(nèi)存市場，目標(biāo)是需求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存，由于傳輸速度比一般閃存快上萬倍，未來是否會引起內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得關(guān)注。
       臺積電技術(shù)長孫元成近日在臺積電技術(shù)論壇上，第一次披露臺積電研發(fā)多年的eMRAM（嵌入式磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存）和eRRAM（嵌入式電阻式內(nèi)存），分別定于明后年實行風(fēng)險性試產(chǎn)，主要使用22mn制程，這將是臺積電因應(yīng)高速運(yùn)算計算機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、行動裝置和智能汽車等四領(lǐng)域所供給效能更迅速和耗電更低的新內(nèi)存。

                  
                            臺積電次世代內(nèi)存布局

       這也是臺積電共同執(zhí)行長魏哲家向法人表示不會跨足標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存，不會角逐東芝分割成立半導(dǎo)體公司股權(quán)后，臺積電再次說明內(nèi)存的戰(zhàn)策布局，將盯上效能比一般DRAM和儲存型閃存（NAND Flash）的MRAM和RRAM。
       此前三星電子也在一場晶圓廠商論壇中發(fā)表該公司所研發(fā)的MRAM。三星目前也是全球中首個可提供此次世代內(nèi)存產(chǎn)品的內(nèi)存廠，產(chǎn)品技術(shù)時程遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越臺積電，三星的MRAM并獲恩智浦導(dǎo)入。
       據(jù)了解，臺積電早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代內(nèi)存研發(fā)，多年來因難度高，商業(yè)化和競爭力遠(yuǎn)不如DRAM，導(dǎo)致多家廠商都都僅限于研發(fā)。
       內(nèi)存業(yè)者表示，次世代內(nèi)存中，投入研發(fā)的廠商主要集中MRAM、RRAM及相變化內(nèi)存（PRAM）等三大次世代內(nèi)存，其中以MRAM的處理速度最快，但也是最難量產(chǎn)的內(nèi)存類型。
       不過，在DRAM和NAND Flash制程已接近極限，包括AI人工智能、無人車、高階智能型手機(jī)和物聯(lián)網(wǎng)等要求快速演算等功能，是臺積電認(rèn)為商機(jī)即將成熟并決定在2018及2019年提供相關(guān)嵌入及整合其他異質(zhì)芯片技術(shù)，進(jìn)行商業(yè)化量產(chǎn)。

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