誰說科學(xué)突破永遠(yuǎn)不算什么？ Everspin跟進了IBM，TDK和德國研究人員幾年前開發(fā)的研究成果，并在市場上推出了首款商用自旋扭矩磁阻RAM（ST-MRAM）。該技術(shù)通過利用電子“旋轉(zhuǎn)”將數(shù)據(jù)存儲在磁性而非電子狀態(tài)中，從而提供不易磨損的非易失性存儲器。該公司表示，第一顆芯片的尺寸大約是閃存成本的50倍，但典型的NAND模塊可以執(zhí)行大約800 IOPS，ST-MRAM的吞吐量可達(dá)400,000，因此非常適合SSD緩存和其他要求苛刻的應(yīng)用。 Everspin已經(jīng)開始以DDR3規(guī)格發(fā)布64Mb DIMMS的工作樣本，并表示未來的版本將擴展到千兆字節(jié)容量和更快的速度 –
Everspin為高性能存儲系統(tǒng)首次推出Spin-Torque MRAM
MRAM領(lǐng)先采樣64Mb DDR3 ST-MRAM;與合作伙伴合作準(zhǔn)備設(shè)計和制造生態(tài)系統(tǒng)
亞利桑那州錢德勒市 - 2012年11月12日 -
Everspin Technologies在業(yè)界率先推出首款自旋扭矩磁阻RAM（ST-MRAM），這是一種新型高性能和超低延遲內(nèi)存，預(yù)計將改變存儲架構(gòu)并有助于推動摩爾定律的不斷演變。
ST-MRAM是一款性能優(yōu)化的存儲級存儲器（SCM），通過提供非易失性，高耐用性和超低延遲，將當(dāng)今傳統(tǒng)存儲器的作用與未來存儲系統(tǒng)的需求結(jié)合起來。該64Mb器件是Everspin ST-MRAM產(chǎn)品中的第一款產(chǎn)品，計劃通過更快的速度擴展至千兆密度存儲器。
ST-MRAM。
Gartner研究副總裁Joseph Unsworth表示：ST-MRAM的特性對企業(yè)SSD市場特別有吸引力，因為它能夠增強和補充閃存技術(shù)。 “這項技術(shù)的商業(yè)化是一個重要的行業(yè)里程碑，應(yīng)該繼續(xù)推動SSD在數(shù)據(jù)中心和內(nèi)存計算架構(gòu)中的普及。”
第一款將DRAM的速度和耐用性與閃存的非易失性，ST-MRAM相結(jié)合的半導(dǎo)體存儲器為高性能存儲系統(tǒng)的設(shè)計人員提供了實現(xiàn)超低延遲，提高可靠性，高循環(huán)耐用性和保護數(shù)據(jù)的能力的功率損失。潛在用途的一個例子是在云存儲領(lǐng)域 - 即使添加了更多的用戶和內(nèi)容，更快和一致的數(shù)據(jù)存儲訪問也是必需的。
“IDC固態(tài)存儲和使能技術(shù)研究總監(jiān)Jeff Janukowicz表示：”現(xiàn)有存儲器技術(shù)面臨著在性能，功耗和可靠性達(dá)到適當(dāng)平衡時所面臨的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。 “第一個64Mb自旋扭矩MRAM的商業(yè)化是在更廣泛地使用更多種類的非易失性存儲器技術(shù)以提高存儲設(shè)備可靠性和提高性能方面的一個行業(yè)里程碑。”
Everspin專有的自旋扭矩技術(shù)使用自旋極化電流進行開關(guān)。數(shù)據(jù)存儲為磁性狀態(tài)與電子電荷，提供非易失性存儲器位，不會出現(xiàn)與Flash技術(shù)相關(guān)的磨損或數(shù)據(jù)保留問題。 EMD3D064M 64Mb STMRAM在功能上與DDR3接口的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JEDEC規(guī)范兼容，每個I / O每秒傳輸高達(dá)1600萬次傳輸，轉(zhuǎn)換為以納秒級延遲高達(dá)3.2 GBytes /秒的內(nèi)存帶寬。該產(chǎn)品采用符合DDR3標(biāo)準(zhǔn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)WBGA封裝。
ST-MRAM為系統(tǒng)設(shè)計人員提供持久，高耐久性存儲或內(nèi)存的優(yōu)勢，適用于要求更高可靠性且需要DDR3速度性能提升的應(yīng)用。 64Mb密度的MRAM為固態(tài)和RAID存儲系統(tǒng)以及存儲設(shè)備中的非易失性緩沖區(qū)和高速緩存提供了理想的入口點。 64Mb器件將補充現(xiàn)有的低成本存儲器技術(shù)，減少了過度使用。
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