Everspin 并口MRAM芯片MR0A08BCMA35

2018-06-25 15:03:07

Everspin Technologies公司是全球領先的分立和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）的設計，制造領導者，其市場和應用領域的數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。憑借在數(shù)據(jù)中心，云存儲，能源，工業(yè)，汽車和運輸市場部署的超過7000萬個MRAM和ST-MRAM產(chǎn)品，Everspin建立了世界上MRAM用戶最強大，發(fā)展最快的基礎。

這款并口并行MRAM存儲芯片數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失數(shù)據(jù)，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護，以防止在非工作電壓期間寫入。

MR0A08BCMA35采用10 mm x 10 mm 48引腳球柵陣列 (BGA) 封裝（球中心距為0.75mm）。溫度范圍在商業(yè)級（-40℃ to +85℃）、溫度范圍內(nèi)工作，并在整個溫度范圍內(nèi)保持高度可靠的數(shù)據(jù)存儲能力。

可參考以下型號：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

本文關鍵詞：Everspin

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