最近，韓國存儲器設計Fabless公司濟州半導體JSC官網(wǎng)開展了與聯(lián)華電子的合作，在韓國掀起了不小的風波。不少韓國學術界人士表示，濟州半導體JSC有可能利用韓國的稅金進行研發(fā)，并協(xié)助對韓國半導體造成不定威脅的中國，并質(zhì)疑大陸與臺灣地區(qū)想就此機會通過金錢購買DRAM技術，并進入批量生產(chǎn)階段。
 
事件的起因是，聯(lián)電與中國福建省合作成立了晉華集成電路公司（JHICC）， 福建晉華將從聯(lián)電獲得32納米、28納米DRAM技術并計劃年內(nèi)進入量產(chǎn)。然后，聯(lián)電和濟州半導體又在去年簽署了60億韓幣規(guī)模的LPDDR4記憶半導體設計合約書。
 
濟州半導體JSC官網(wǎng)的態(tài)度是，此合作被過度解讀。他們認為，盡管濟州半導體參與了多項記憶國策研發(fā)項目，但針對此次合作，濟州半導體提供的設計服務為LPDDR4 DRAM 32納米產(chǎn)品，并不屬于韓國核心技術（30納米以下產(chǎn)品）。因此，韓國政府暫無證據(jù)干涉濟州半導體與聯(lián)電的合作。
 
JSC官網(wǎng)公司相關人士強調(diào)，雙方合作并非是轉(zhuǎn)讓設計IP，而是將鎖密的設計數(shù)據(jù)進行出售，不會引起任何問題。跳槽至中國的技術人員在中國企業(yè)設計IP時才不合法，業(yè)界應該清楚技術服務協(xié)議并不構(gòu)成問題。同時該公司表示因受限無鑄造設施，才會選擇UMC進行合作，對于這種單一合同提出質(zhì)疑并制止銷售相當于是讓企業(yè)終止經(jīng)營。
 
韓國這次討論的根源或許是聯(lián)電與晉華正針對DRAM開展密切的技術合作，韓國擔心，保有大量三星電子與SK海力士出身設計人力的濟州半導體的此舉相當于成為了中國半導體助力。
 
三星電子等韓國國內(nèi)存儲器企業(yè)也非常關注本次事件。濟州半導體JSC官網(wǎng)設計總負責高管為前三星電子出身，而其下多數(shù)設計人員均為三星電子出身。濟州半導體存儲器設計人力約為40余名。
 
由于晉華在大陸半導體布局中的重要性，以及其進展之快，也曾遭到美光等巨頭的“質(zhì)疑”，濟州半導體與聯(lián)電引發(fā)的韓國國內(nèi)討論或許可以看作是美光專利訴訟后受“質(zhì)疑”的下半場。
 
今年以來，韓國對中國半導體的崛起一直持一種“警惕”的態(tài)度，比如SK海力士無錫新廠就曾遭到韓國學界的廣泛質(zhì)疑。其實SK海力士8英寸晶圓代工的核心研發(fā)是留在韓國的，無錫合資代工廠主要負責生產(chǎn)，同時，SK海力士韓國仍保留了12英寸晶圓代工廠，用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器等高附加價值產(chǎn)品。
 
韓國對于濟州半導體JSC官網(wǎng)與聯(lián)電合作的質(zhì)疑，也表現(xiàn)出韓國對中國存儲產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展帶來競爭的擔憂。
 
韓國產(chǎn)業(yè)研究院8月份最新研究表明，韓國下半年的出口增長率將停留在15.9％，相較于上半年的42.5％大幅下降。其認為，造成這一問題的最大原因是中國半導體的崛起。韓國研究員表示“預計中國將在明年年初開始投產(chǎn)半導體存儲器”，“雖然兩國存在較大技術差距，短期內(nèi)對韓國企業(yè)的影響不大，但長期來看，可能會對韓國造成負面影響。”
 
這也在一定程度上折射出韓國半導體發(fā)展的問題。如今，韓國過度依賴半導體產(chǎn)業(yè)，且產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)失衡，存儲型半導體占到半導體產(chǎn)業(yè)80％以上比例。盡管三星，SK海力士在DRAM漲價潮中賺得盆滿缽滿，但兩家公司也清醒地意識到了存儲好景不長的現(xiàn)實，正充分利用存儲產(chǎn)業(yè)帶來的產(chǎn)業(yè)紅利，擴大其非存儲業(yè)務。韓國專家，對韓國過度依賴存儲產(chǎn)業(yè)的擔憂程度也在不斷升級，認為該格局可能帶來一場經(jīng)濟危機。

本文關鍵詞：JSC官網(wǎng)

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