2020年第四季DRAM總產(chǎn)值達(dá)176.5億美元,季增1.1%。整體市況歸因于2020年第三季下旬華為被列入出口限制清單，使中國(guó)智能手機(jī)品牌Oppo、Vivo、小米積極加大零部件采購(gòu)力道，欲搶食華為市占，因而帶動(dòng)第四季各家DRAM存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商出貨表現(xiàn)。然而受到server業(yè)者仍持續(xù)庫存調(diào)節(jié)的影響，DRAM芯片價(jià)格受到壓抑，多數(shù)原廠2020年第四季營(yíng)收表現(xiàn)與上季差異不大，僅美光受到營(yíng)運(yùn)天數(shù)不同而有明顯下滑。

 

2021年第一季包括PC、mobile、graphics及consumer DRAM在內(nèi)的需求仍維持穩(wěn)健。歷經(jīng)兩季庫存調(diào)整，部分server DRAM業(yè)者重啟新一輪備貨，加上2020年12月初美光跳電事件影響，今年第一季DRAM存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格全面正式起漲。預(yù)估第一季將呈現(xiàn)量平價(jià)漲的走勢(shì)，不過由于是市況反轉(zhuǎn)的第一個(gè)季度，且需求面仍位處淡季，估計(jì)量與價(jià)成長(zhǎng)幅度不大，整體DRAM存儲(chǔ)產(chǎn)值可能較去年第四季小幅成長(zhǎng)。

 

2020年第四季DRAM存儲(chǔ)價(jià)格持續(xù)走跌，原廠獲利皆受壓縮

以營(yíng)收表現(xiàn)來看，本次韓系DRAM廠與美光的表現(xiàn)再度有所分歧，主要是美光第四季的財(cái)務(wù)周數(shù)由前次高基期的十四周回歸正常的十三周，使其在出貨量與平均銷售單價(jià)呈現(xiàn)「量?jī)r(jià)齊跌」；韓系廠商則持續(xù)呈現(xiàn)「量增價(jià)跌」，顯示拉貨力道有所回溫。三星（Samsung）及SK海力士（SK Hynix）在出貨增幅皆優(yōu)于原先預(yù)期的情況下，抵銷報(bào)價(jià)的跌幅，營(yíng)收分別上揚(yáng)3.1%及5.6%。美光因出貨量衰退，營(yíng)收走跌7.2%，導(dǎo)致其第四季市占下滑至23%。展望2021年第一季，由于DRAM存儲(chǔ)報(bào)價(jià)正式走揚(yáng)，加上美光在報(bào)價(jià)策略上最為積極，有機(jī)會(huì)拉近與前兩大的市占差距。

 

以獲利表現(xiàn)來看，由于2020年第四季的DRAM均價(jià)跌幅落在5~10%，導(dǎo)致所有廠商的獲利表現(xiàn)皆有所收斂。以三星而言，營(yíng)業(yè)利益率由上季41%跌至36%；SK海力士由上季29%跌至26%；而美光本次財(cái)報(bào)季區(qū)間（9月至11月）的報(bào)價(jià)跌幅約略等同于韓廠，其營(yíng)業(yè)利益率亦由上季25%縮減至21%，廠商的成本優(yōu)化幅度皆不足以彌補(bǔ)該季的報(bào)價(jià)跌幅。2021年第一季受到DRAM報(bào)價(jià)反彈的支撐，預(yù)計(jì)原廠獲利能力也將觸底反彈，正式重啟新一波的上漲周期。值得一提的是以DRAM龍頭廠三星為例，其在報(bào)價(jià)底部的獲利水平仍高達(dá)三成，連規(guī)模相對(duì)小的南亞科（Nanya Tech）亦有近10%的獲利，顯示DRAM產(chǎn)業(yè)在新進(jìn)中國(guó)業(yè)者加入以前，都將在寡占格局下維持整體獲利的生態(tài)。

 

臺(tái)廠方面南亞科同樣呈現(xiàn)量增價(jià)跌的表現(xiàn)，其2020年第四季營(yíng)收小跌0.7%，而營(yíng)業(yè)利益率亦隨著報(bào)價(jià)走跌而下降，由上季的13.5%進(jìn)一步收斂至8.8%。華邦（Winbond）方面，NOR Flash的占比持續(xù)提升，不過以第四季營(yíng)收季增0.8%來看，主要是NAND FLASH業(yè)務(wù)受到壓縮，加上DRAM營(yíng)收在利基型存儲(chǔ)器市況率先好轉(zhuǎn)的幫助下而有所提升，然漲幅不高是因供貨有限而非需求不佳所致。力積電（PSMC）營(yíng)收僅計(jì)自家生產(chǎn)之標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，2020年第四季持續(xù)受到包含PMIC（電源管理IC）、Driver IC、CIS在內(nèi)的邏輯產(chǎn)品需求暢旺，而壓縮到DRAM產(chǎn)能，使其DRAM營(yíng)收下滑約1.7%。

 

三家臺(tái)廠仍將重心擺在自身最具優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，各自強(qiáng)化所屬領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，如南亞科積極開發(fā)1A/1Bnm，期能于2021年底前送樣；華邦在持續(xù)精進(jìn)DRAM新制程25nm良率的同時(shí)，產(chǎn)能擴(kuò)建仍以需求暢旺的NOR Flash為主；至于力積電在當(dāng)前邏輯IC需求極佳的環(huán)境下，將持續(xù)產(chǎn)能滿載專攻毛利較高的邏輯產(chǎn)品代工。


本文關(guān)鍵詞： DRAM   Nand Flash

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