賽普拉斯型號CY15B104Q-LHXI主要采用先進鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復(fù)雜性，開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。
 
CY15B104Q-LHXI是串行FRAM存儲器。存儲器陣列在邏輯上組織為524,288×8位，可使用行業(yè)標準的串行外圍設(shè)備接口（SPI）總線進行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM。CY15B104Q-LHXI與具有相同引腳輸出的串行閃存或EEPROM之間的主要區(qū)別在于FRAM的優(yōu)越寫入性能，高耐用性和低功耗。CYPRESS代理英尚微提供相關(guān)技術(shù)支持。 

 
與串行閃存和EEPROM不同，CY15B104Q-LHXI以總線速度執(zhí)行寫操作。沒有寫入延遲。每個字節(jié)成功傳輸?shù)皆O(shè)備后，立即將數(shù)據(jù)寫入存儲器陣列。下一個總線周期可以開始而無需數(shù)據(jù)輪詢。與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品具有顯著的寫入耐久性。CY15B104Q-LHXI能夠支持1014個讀/寫周期，或比EEPROM多1億倍的寫周期。
 
這些功能使CY15B104Q-LHXI非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應(yīng)用。例子包括數(shù)據(jù)收集（可能是關(guān)鍵的寫周期數(shù)）到要求苛刻的工業(yè)控制，在這些情況下，串行閃存或EEPROM的長寫入時間可能會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。
 
CY15B104Q-LHXI為串行EEPROM或閃存的用戶提供了實質(zhì)性的好處，可以作為硬件的替代產(chǎn)品。CY15B104Q-LHXI鐵電存儲器使用高速SPI總線，從而增強了FRAM技術(shù)的高速寫入能力。該設(shè)備包含一個只讀的設(shè)備ID，該ID允許主機確定制造商，產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本。在–40℃至+85℃的工業(yè)溫度范圍內(nèi)保證器件的規(guī)格。
 
記憶體架構(gòu)
當(dāng)訪問CY15B104Q-LHXI時，用戶尋址每個8個數(shù)據(jù)位的512K單元。這八個數(shù)據(jù)位被串行移入或移出。使用SPI協(xié)議訪問地址，該協(xié)議包括一個芯片選擇（允許總線上有多個設(shè)備），一個操作碼和一個三字節(jié)地址。地址范圍的高5位是“無關(guān)”值。19位的完整地址唯一地指定每個字節(jié)地址。
 
CY15B104Q-LHXI FRAM的大多數(shù)功能要么由SPI接口控制，要么由板載電路處理。存儲器操作的訪問時間基本上為零，超出了串行協(xié)議所需的時間。也就是說，以SPI總線的速度讀取或?qū)懭氪鎯ζ?。與串行閃存或EEPROM不同，由于以總線速度進行寫操作，因此無需輪詢設(shè)備是否處于就緒狀態(tài)。到可以將新的總線事務(wù)轉(zhuǎn)移到設(shè)備中時，寫操作就完成了。界面部分將對此進行詳細說明。
 
串行外設(shè)接口（SPI）總線
CY15B104Q-LHXI是SPI從設(shè)備，工作速度高達40MHz。該高速串行總線提供了與SPI主設(shè)備的高性能串行通信。許多常見的微控制器都具有允許直接接口的硬件SPI端口。對于不使用微控制器的普通端口引腳，使用普通端口引腳來模擬端口很簡單。 CY15B104Q工作在SPI模式0和3。

本文關(guān)鍵詞： 鐵電存儲器

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