近些年來SIC技術成熟，SIC MOSFET價格大幅下降，應用領域進一步擴大。在不久的將來，它將成為新一代流行的低損耗電力設備。在具體的工程應用、設計和開發(fā)過程中，我們經常需要檢查SIC MOSFET分析開關特性、靜態(tài)特性和功率損耗，便于有效評估整個系統(tǒng)的效率。
 
為何SIC MOSFET短路耐受時間很小？
 
短路耐受時間(tsc)這是功率半導體器件一個非常重要的參數(shù)，這就是為什么它現(xiàn)在成為一個在SiC推廣和應用中多次提到的原因。SIC的短路能力相對于先進的Si基IGBT來講是低的。SIC宣傳這么強的材料特性，為什么短路能力這么不夠？
 
IGBT短路發(fā)生時，必須在10us或者在更短的時間內關掉IGBT，其他參數(shù)可以控制相同的短路能耗，如柵極電壓VGE，母線電壓等，但最終都是為了保證IGBT不會因為過熱而失效。SIC MOSFET原來短路能力小，根本原因也是因為熱，是因為短路前后的溫度分布不科學！


本文關鍵詞：SIC MOSFET

相關文章：?SIC MOSFET隔離驅動要求

 

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。