Everspin xSPI STT‐MRAM在代碼和數(shù)據(jù)整合的應(yīng)用場景中，應(yīng)用程序代碼和少量數(shù)據(jù)存儲在同一個內(nèi)存芯片中。這有時需要滿足嚴格的成本和空間(如物理板空間)要求。代碼在啟動時加載到RAM中。文件系統(tǒng)可用于存儲數(shù)據(jù)，也可能用于存儲固件，但經(jīng)常會使用原始訪問。由于NORflash成本低、尺寸小，因此通常用于此目的。
 
    對于只讀或以讀取為中心的工作負載，這種設(shè)計非常合適。但是，由于寫入性能差和寫入能耗高，NOR閃存通常不適合中等寫入工作負載。NAND閃存也可用于提高寫入性能，但由于壞塊和軟錯誤管理，它會帶來額外的復(fù)雜性。另一個問題是耐力。雖然大多數(shù)應(yīng)用永遠不會接近NOR或SLCNAND的最大100K擦除周期，但保持力會隨著單元磨損而顯著下降。根據(jù)未磨損設(shè)備的典型10年規(guī)格，10K循環(huán)后，保留時間可能會降至僅1年。如果固件映像以磨損塊結(jié)束(如果使用了適當?shù)哪p均衡，這可能會發(fā)生)，這可能會成為一個問題。
 
    Everspin xSPI STT‐MRAM封裝8DFN，容量高達64Mb，非常適合這種特殊的使用情形。它具有極高的寫入速度、低寫入能耗和幾乎無限的寫入耐久性。截至目前，NOR flash仍然比MRAM有容量優(yōu)勢，但大型NOR芯片并不便宜，沒有跡象表明MRAM無法擴大規(guī)模和成本的綜合水平。樣品聯(lián)系代理商英尚微電子。


本文關(guān)鍵詞：STT‐MRAM,MRAM

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