基于氮化鎵Micro-LED的高速通信芯片技術
2025-11-24 09:39:30
為應對人工智能與巨量算力對“高速、低功耗、高可靠”通信的迫切需求，聚焦GaN基Micro-LED核心調(diào)制光源，由南大、復旦、廈大、吉大、南郵、國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）聯(lián)合研究團隊開展的器件設計和通信系統(tǒng)進行技術鏈研發(fā)。團隊成功攻克了Micro-LED效率與帶寬難以協(xié)同提升的核心難題：通過創(chuàng)新性開發(fā)輕原子側(cè)壁鈍化技術，顯著提升了器件光電效率與可靠性；并系統(tǒng)優(yōu)化量子阱結(jié)構(gòu)，在實現(xiàn)GHz級高帶寬的同時保持了高光效。
基于此，研發(fā)出的Micro-LED芯片表現(xiàn)出色，帶寬高達近2.2GHz，并在自由空間光通信中創(chuàng)造了9.06Gbps的傳輸速率紀錄，將短距光互連的功耗顯著降低至7.34pJ/bit。此項成果系統(tǒng)性突破了Micro-LED在高帶寬與低功耗方面的技術瓶頸，為下一代高速光互連技術奠定了堅實基礎。
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