新興記憶的一貫挑戰(zhàn)：容量提高然而價格下降或者價格下降然而容量提高。然而，Everspin Technologies希望，特定行業(yè)容量將優(yōu)于價格，因為它可以提高MRAM的產(chǎn)量。
 
MRAM先驅(qū)剛剛發(fā)布了與SMART Modular Technologies聯(lián)合推出的nvNITRO解決方案的應(yīng)用白皮書。根據(jù)Pat Patla的說法，這兩家公司合作開發(fā)nvNITRO NVMe存儲加速器，并致力于聯(lián)合開發(fā)多個垂直市場，第一個是金融技術(shù)（FinTech）部門，其中nvNITRO可以提高數(shù)據(jù)吞吐量并減少關(guān)鍵存儲瓶頸。 ，Everspin營銷高級副總裁。
 
Patla在接受EE Times電話采訪時表示，nvNITRO NVMe存儲加速器可將金融交易的延遲降低90％，從而幫助金融科技公司滿足通常需要同步記錄的合規(guī)規(guī)則。這增加了延遲并造成事務(wù)處理瓶頸。正如白皮書所述，nvNITRO的顯著降低延遲的能力使金融科技公司能夠更快地記錄交易，從而增加整體交易量，并最終增加他們的收入。同時，STT-MRAM的持久性也有助于必要的合規(guī)性，因為所有數(shù)據(jù)日志都受到保護。
 
Everspin已經(jīng)開始批量生產(chǎn)STT-MRAM。該公司在2017年第四季度創(chuàng)下首個40nm 256Mb STT-MRAM產(chǎn)品的收入記錄，并于2018年開始量產(chǎn)。有少數(shù)公司正在開發(fā)MRAM，但Everspin是唯一一家商業(yè)化的公司提供離散和嵌入式MRAM產(chǎn)品，部分歸功于它與GlobalFoundries的合作。
 
Everspin正在宣傳其256Mb STT-MRAM，作為??第一款垂直MTJ STT-MRAM進入量產(chǎn)階段。 Patla表示，其ST-DDR3 / ST-DDR4接口的設(shè)計盡可能接近標(biāo)準(zhǔn)，以便客戶可以輕松將其集成到系統(tǒng)中，主要是對存儲器控制器進行一些微小更改。 Everspin的STT-MRAM也符合NVMe標(biāo)準(zhǔn)。
 
Patla承認(rèn)，除非制定了標(biāo)準(zhǔn)，否則客戶會擔(dān)心獨家采購該技術(shù)。 “DDDR5是每個人都在召集的地方，”他說。
 
Everspin Technologies專注于需要快速持久內(nèi)存的領(lǐng)域，通過提供接近DRAM性能和非易失性。 “Flash在旋轉(zhuǎn)媒體旁提供了很好的性能，但是對DRAM或MRAM來說，它的速度要慢得多，”Patla說，“他將旋轉(zhuǎn)扭矩MRAM描述為由性能，耐用性和比特率組成的三腳凳子。

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