全球半導(dǎo)體巨頭都在為下一代新型存儲器市場進(jìn)行劇烈競爭，這也許會全面改變半導(dǎo)體市場的發(fā)展前景，并成為未來半導(dǎo)體代工的首要業(yè)務(wù)之一。

   
雖然磁變存儲器（MRAM）在先前的技術(shù)節(jié)點(diǎn)展現(xiàn)了非揮發(fā)性、高可靠性以及可制造性，磁變存儲器以長遠(yuǎn)的目光看來未來會是較受歡迎的技術(shù)。但在微縮至2xnm節(jié)點(diǎn)以及相容嵌入式存儲器的后段制程（BEOL）溫度時開始面臨挑戰(zhàn)。

   
阻變存儲器（RRAM）和磁變存儲器（MRAM）具備相似的功能，二者都是后段校準(zhǔn)的存儲器，因此可以更易于實(shí)施在邏輯制程中。RRAM的堆疊更簡單，因?yàn)樵陔姌O之間所需的材料較少。而且它并不需要像MRAM一樣的設(shè)備投資。

   
雖然阻變存儲器和相變存儲器等其他類型的存儲器也都有其支持者，但這些存儲器都存在著微縮的問題，難以達(dá)到28nmCMOS制程的要求。

   
三星電子正大力發(fā)展MRAM存儲器，而另一個半導(dǎo)體巨頭英特爾則是強(qiáng)攻含3DXPoint技術(shù)的PRAM型存儲器。臺積電現(xiàn)在已具備量產(chǎn)MRAM及阻變存儲器（RRAM）等新型存儲器的技術(shù)和能力。

   
嵌入式存儲器在半導(dǎo)體芯片中的作用十分重要，它為整個芯片提供的可互用特性決定了整個芯片的效率、速度和性能。唯有可靠的設(shè)計(jì)方法，才能設(shè)計(jì)出優(yōu)良的存儲器。

 
目前三星電子正大力發(fā)展eMRAM存儲器，三星的28nmFD-SOI（FullyDepletedSilicononInsulator）制程有eMRAM的選項(xiàng)，其中eMRAM的風(fēng)險生產(chǎn)為2018年；而18nm的FD-SOI制程的風(fēng)險生產(chǎn)將始于2020年，也有eMRAM的選項(xiàng)。歐洲最大半導(dǎo)體廠商-恩智浦半導(dǎo)體已經(jīng)決定采用三星電子的eMRAM存儲器，以應(yīng)用在相關(guān)的物聯(lián)網(wǎng)裝置之上。

   
臺積電發(fā)布在2018年下半年于28nm制程中生產(chǎn)eMRAM。而GlobalFoundries也發(fā)布，計(jì)劃在2017年于22nmFD-SOI制程上提供eMRAM，2018年進(jìn)入量產(chǎn)。

  

本文關(guān)鍵詞：存儲器  MRAM   eMRAM

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