FRAM的讀寫速度主要取決于鐵電材料的極化反轉(zhuǎn)特性，根據(jù)目前理論極化反轉(zhuǎn)速度可達到皮秒量級。

MRAM利用磁性存儲數(shù)據(jù)，容量成本低，具有高速存取、低功耗、無限次讀寫、抗輻射能力強等優(yōu)點，在航空航天、軍事、移動通訊等領(lǐng)域的應用有很大優(yōu)勢。

PRAM被認為是FLASH和DRAM的替代者，讀寫速度是普通閃存的30倍，同時其擦寫壽命也是閃存的10倍。PRAM的最大優(yōu)點是高效能和低耗電。

RRAM具有與CMOS低功耗、工藝兼容性好、易于隨先進工藝微縮等優(yōu)點受到廣泛關(guān)注。

 

 

FRAM目前作為新型存儲器的主要問題是鐵電薄膜材料。未來發(fā)展需要解決的主要難題：一是采用3D結(jié)構(gòu)縮小單元面積提高集成度；二是提高鐵電薄膜特性。

RRAM還是一項走在前沿的研究課題，現(xiàn)在還主要停留在實驗室階段。未來材料的尋找仍然是RRAM面臨的主要問題。

而臺積電未來選擇先生產(chǎn)的MRAM和PRAM也會遇到不小的挑戰(zhàn)。MRAM的主要問題在于其高昂的制造成本。其次MRAM依靠磁性存儲材料，磁場會對周圍的芯片產(chǎn)生怎樣的影響需要謹慎思考。

PRAM目前最大的問題是成本和容量。目前PRAM的單位容量成本還是比NAND高不少。發(fā)熱對于PRAM來說是個大問題，由于PRAM需要加熱電阻式材料發(fā)生相變，隨著工藝越來越先進，單元變得越來越精細，對于加熱元件的控制要求也將越來越高，那發(fā)熱帶來的影響也將加大。發(fā)熱和耗電將會制約PRAM的進一步發(fā)展。

 

嵌入式存儲器具有大容量集成的優(yōu)勢，是SOC的重要組成部分，具有重要的創(chuàng)新性和實用性。何種嵌入式存儲器將取得最終的成功，

取決于多方面的因素：能否與標準CMOS工藝兼容，在不斷增加復雜性的工藝步驟的基礎(chǔ)上，實現(xiàn)大容量的片上集成，從而提高其性價比;能否隨著工藝的發(fā)展縮小尺寸，解決超深亞微米工藝的延續(xù)性和擴展性問題，這是所有采用電容結(jié)構(gòu)存儲信息的存儲器面對的共同挑戰(zhàn);能否滿足片上其他高速邏輯的帶寬需要，構(gòu)成帶寬均衡、穩(wěn)定簡潔的集成系統(tǒng);準確的市場定位，保持量產(chǎn)。

總而言之每項技術(shù)的發(fā)展都有其機會與挑戰(zhàn)。而無懼挑戰(zhàn)勇于創(chuàng)新的企業(yè)最終將贏得市場。

本文關(guān)鍵詞：嵌入式存儲器   MRAM  FRAM

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