Everspin是從飛思卡爾半導體公司分離出來的一家獨立公司。是全球第一家量產(chǎn)MRAM的供貨商，并透過持續(xù)提升技術(shù)與擴展MRAM產(chǎn)品組合來領(lǐng)導業(yè)界的發(fā)展。Everspin提供市場上最可靠、高效能、且具成本效益的非揮發(fā)性隨機存取存儲器，以協(xié)助客戶開發(fā)獨特且極具競爭力的產(chǎn)品 。（ （ Everspin公司是 磁性隨機存儲器（ （MRAM） ）和 集成磁（ （Integrated Magnetic） ） 產(chǎn)品的全球領(lǐng)導者

主要從事： 磁性隨機存儲器(MRAM)與傳感器的開發(fā)和制造工作

目標市場： 儲存、工業(yè)自動化、游戲、能源管理、通訊、消費、運輸、和航空電子

 

• MRAM讀取/寫入周期時間：35ns；

• 真正無限次擦除使用；

• 業(yè)內(nèi)最長的壽命和數(shù)據(jù)保存時間----超過20年的非揮發(fā)特性；

• 單芯片最高容量為16Mb；

• 快速、簡單接口----16位或8位并行SRAM、40MHz高速串行SPI接口；

• 具有成本效益----簡單到只有一個晶體管、一個磁性穿隧結(jié)(1T-1MTJ)位單元；

• 最佳等級的軟錯誤率----遠比其它內(nèi)存優(yōu)異；

• 可取代多種存儲器----集閃存、SRAM、EEPROM、nvRAM、以及BBSRAM的功能于一身；

• 具備商業(yè)級、工業(yè)級、擴展級和汽車級的可選溫度范圍；

• 符合RoHS規(guī)范：無電池、無鉛；

• 小封裝：TSOP、VGA、DFN。

 

 

Eversin 的利MRAM是以可在邏上的磁隧道MTJ p 專技術(shù)沉積標準輯制程性結(jié)儲存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層(fixed layer)，和一個通過隧道結(jié)(tunnel barrier)與其隔離的自由層(free layer)。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結(jié)便會顯現(xiàn)出低電阻特性。而當自由層被施予反方向的極化時，MTJ便會有高電阻。此一磁阻效應(yīng)可使MRAM不需改變內(nèi)存狀態(tài)，便能快速讀取數(shù)據(jù)。當流經(jīng)兩金屬線的電流足以切換MTJ的磁場時，在兩金屬線交點的MTJ就會被極化(寫入)。此過程能以SRAM的速度完成。

本文關(guān)鍵詞：SRAM  EEPROM  MRAM  Everspin

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