因競爭對手臺積電、三星將在2018年進入7納米先進制程，因此格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）今年不斷地放出自己關于7納米制程的信息，用來引起業(yè)界的關注。近日在2017 年國際電子元件會議（IDEM 2017）上，格羅方德（GlobalFoundries）公布了有關7 納米制程的詳細信息，能效比14納米工藝降低40%。

據(jù)報導，晶圓代工大廠格羅方德（GlobalFoundries）公布了有關其 7 納米制程的詳細資訊。與當今用于IBM Power 服務器芯片、AMD 處理器，以及其他產(chǎn)品的 14 納米制程產(chǎn)品相比，7 納米制程在密度、性能與效率方面都明顯優(yōu)于14 納米制程。

 

格羅方德最新一代的 3D 或 FinFET 電晶體，在 7 納米制程下具有 30 納米的鰭間距（導電通道之間的間距）、56 納米的柵極間距、以及 40 納米的最小金屬間距。此外，7 納米制程可生產(chǎn)的最小高密度 SRAM 單元尺寸為 0.0269 平方微米。以上公布的這些間距尺寸，與 14 納米制程相比進步非常大。對此，格羅方德方面表示，其調(diào)整了鰭片形狀與輪廓以獲取最佳性能。不過，格羅方德卻拒絕提供有關該翅片寬度與高度的測量資料。

 

而根據(jù)格羅方德所公布的這些尺寸，不僅與臺積電的 7 納米制程相似，與英特爾宣稱跟其他晶圓代工廠 7 納米制程同等級的 10 納米制程來說也非常類似。另一家晶圓代工大廠三星，則將于 2018 年初在國際固態(tài)電路研討會（ISSCC 2018）上公布其直接采用 EUV 技術的 7 納米制程的詳細資訊。

 

格羅方德預計 7 納米制程能夠達成 2.8 倍的電晶體密度提升，并提高 40% 的性能表現(xiàn)，亦或者是在同等性能條件下將功耗降低 55%。另外在高性能版本上，還能夠額外提供 10% 的性能提升。

 

本文關鍵詞：SRAM

相關文章：為何今年閃存和內(nèi)存會出現(xiàn)缺貨大漲價？

---