深圳市英尚微電子有限公司十幾年耕耘于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片行業(yè)領(lǐng)域，并被Everspin科技公司授權(quán)為官方授權(quán)代理商，代理產(chǎn)品為Serial MRAM，Parellel MRAM，Quad Serial MRAM，DDR3/DDR4 ST-MRAM，目前DDR3/DDR4 ST-MRAM（EMD3D256M）單顆容量256Mb(8MB)，采用78-ball [x8] or a 96-ball [x16] 10 x 13mmWBGA封裝，完全兼容JEDEC DDR3接口規(guī)范，能夠以高達(dá)1333MT /秒/引腳的速率運(yùn)行DDR3，頻率最高1600MHz，帶寬最高3.2GB/s，延遲則是納秒級(jí)別的。
Everspin 科技公司生產(chǎn)的ST-DDR3 STT-MRAM專(zhuān)為企業(yè)級(jí)應(yīng)用設(shè)計(jì)，如SSD緩沖區(qū)，RAID緩沖區(qū)或同步記錄應(yīng)用程序，在這些應(yīng)用中，性能至關(guān)重要，耐久性是必不可少的。 STT-MRAM的持久性可保護(hù)數(shù)據(jù)，并使系統(tǒng)能夠?qū)⒀舆t時(shí)間顯著降低高達(dá)90％，從而提高性能并推動(dòng)效率和成本節(jié)約。
以下是關(guān)于DDR3/DDR4 ST-MRAM（EMD3D256M）的特性：
• Non-volatile 256Mb (32Mb x 8, 16Mb x 16) DDR3
• Supports standard DDR3 SDRAM features
• V DD = 1.5v +/- 0.075v
• Up to 667MHz f CK (1333MT/sec/pin)
• Page size of 512 bits (x8) or 1024 bits (x16)
• On-device termination
• On-Chip DLL aligns DQ, DQS, DQS transition with CK transition
• All addresses and control inputs are latched on rising edge of Clock
• Burst length of 8 with programmable Burst Chop length of 4
• Standard 10x13mm 78-Ball (x8) or 96-ball (x16) BGA Package
深圳市英尚微電子有限公司是一家專(zhuān)業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來(lái)專(zhuān)業(yè)致力代理分銷(xiāo)存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國(guó)區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
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