Everspin推出的第一款STT-MRAM
2018-05-03 11:25:38
Everspin最新的MRAM技術是利用自旋扭矩傳輸特性，即利用極化電流來控制電子的自旋，從而建立自由層的所需磁狀態(tài)，從而對存儲器陣列中的位進行編程或寫入。
與Toggle MRAM相比，自旋轉矩MRAM或
STT-MRAM可顯著降低開關能量，并具有高度可擴展性，可實現(xiàn)更高密度的存儲器產(chǎn)品。我們的第三代MRAM技術使用垂直MTJ。我們開發(fā)了具有高垂直磁各向異性的材料和垂直MTJ堆疊設計，可提供長數(shù)據(jù)保持率，小單元尺寸，更高密度，高耐用性和低功耗。
Everspin推出的第一款STT-MRAM產(chǎn)品采用ST-DDR3，這是一種類似JEDEC的DDR3接口，并需要進行一些修改以充分利用MRAM技術的持久性。這些產(chǎn)品的性能如同持久性DRAM，但無需刷新。其他產(chǎn)品計劃將利用高速串行接口用于各種嵌入式應用。
本文關鍵詞：
STT-MRAM
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